白癜风医院电话 https://jbk.39.net/yiyuanfengcai/video_bjzkbdfyy/集微网消息（文/若冰）光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基衬底上的有机化合物，是集成电路和平板显示两大产业光刻工艺的重要部分，也是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一。根据《现代化工》数据，全球光刻胶市场主要被美日韩企业垄断，所占市场份额超过85%。其中，日本光刻胶公司领跑，日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、信越化学、富士电子材料四家企业市占率高达72%。大陆企业份额不足10%，国内光刻胶仍十分依赖进口，供应受制于人。特别是在今年外部等诸多不确定因素影响的当下，光刻胶的国产化显得愈发迫切。纵是大势所趋，却也是任重而道远。任重——市场需求快速增长按照下游应用，光刻胶可大致分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。相应地，PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的，已经实现对主流厂商大批量供货。据悉，如容大感光、广信材料、东方材料、飞凯材料、永太科技等在内的大陆企业占据国内46%左右湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨市场份额。LCD光刻胶替代进度相对较快，国产化率在10%左右，进口替代空间巨大。主要企业有飞凯材料、永太科技、苏州瑞红（晶瑞股份%控股）和北京科华微电子等。近年来，我国平板显示产业发展迅猛，以京东方、华星光电、天马等为代表的面板企业迅速崛起，产业中心向中国明显转移。同时，在激烈的市场竞争下，日韩面板产能逐步退出。再叠加整个产业链中材料国产化的大趋势，我国LCD光刻胶市场规模及国产化率有望逐步提升。半导体光刻胶国产技术较国外先进技术差距最大。与世界先进水平仍有2-3代的差距，而且半导体光刻胶及配套材料具备产品技术更迭快、纯度高等特点，国产替代之路任重道远。目前，全球半导体光刻胶的供应厂商主要集中日本，分别为东京日化、JSR、信越化学、住友化学和陶氏化学等，其中美国企业陶氏化学市占率仅为15%。半导体用光刻胶市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，其中g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。我国半导体领域的g线、i线光刻胶基本可以满足自给自足，并在逐步提升供应量，两者主要用于6英寸晶圆的集成电路制造。KrF（用于8英寸晶圆）和ArF光刻胶（用于12英寸晶圆）被日本、美国企业垄断。我国的对于高端的KrF、ArF光刻胶，几乎全部依赖进口，国产化率存在极大的提升空间。但KrF光刻胶也具备批量供应的条件；ArF光刻胶尚处于下游认证阶段；国际上最先进的EUV光刻胶国内尚处初级研发阶段。而随着国内新建晶圆厂的密集投产，市场需求增长，也为半导体光刻胶打开了最佳代替窗口。年~年是中国大陆晶圆厂投产高峰期，以长江存储，长鑫存储等新兴晶圆厂和以中芯国际，华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期，未来3年将迎来密集投产。浙商证券指出，根据国内晶圆厂的建设速度和规划，预计年国内半导体光刻胶市场将会是年的两倍，约55亿元。届时世界面板产能持续向中国转移，国内面板光刻胶市场需求预计约为亿元。二者合计将带来约亿元的市场空间。道远——追赶的脚步不停歇1、光刻胶的国产化进程不管是面板光刻胶方面还是半导体光刻胶方面，国内光刻胶厂商们都在全力推动研发进度。1）晶瑞股份晶瑞股份是一家微电子材料企业，主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等，其中光刻胶产品主要由其子公司苏州瑞红生产。据介绍，苏州瑞红年开始光刻胶生产，是国内最早规模量产光刻胶的少数几家企业之一。光刻胶产品由晶瑞股份的子公司苏州瑞红生产，苏州瑞红紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分g线等高端产品已规模供应市场数十年，承担并完成了国家重大科技项目02重大专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目，其i线光刻胶已向合肥长鑫、士兰微、扬杰科技、福顺微电子等行业头部公司供货。苏州瑞红KrF（nm深紫外）光刻胶完成中试，产品分辨率达到了0.25～0.13μm的技术要求，建成了中试示范线。2）南大光电南大光电专业从事高纯电子材料的研发、生产和销售，现已形成了MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料和光刻胶四大业务板块。其中，在光刻胶方面，南大光电正在自主研发和产业化的nm光刻胶项目，已获得国家02专项“nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”和“ArF光刻胶开发和产业化项目”的正式立项。根据年年报显示，南大光电“nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”的研发工作已经完成，正在验收中。此外，公司设立光刻胶事业部，并由子公司宁波南大光电全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施。年4月，其采购的用于检测ArF（nm）光刻胶产品性能的光刻机运入宁波南大光电工厂，5月开始进行安装调试，预计安装调试需要4-5个月的时间。南大光电同时自主研发制备ArF（nm）光刻胶用的高纯原材料，研制出的ArF（nm）光刻胶样品正在供客户测试。5月14日，南大光电接受投资者提问时表示，公司光刻胶产品力争年底通过客户验证。6月3日，南大光电表示，目前“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”尚处于光刻胶样品验证阶段，验证过程预计需要12-18个月，甚至更长的时间。3）上海新阳年底，上海新阳立项开发集成电路制造用高端光刻胶。根据上海新阳年年报，其已研发获得多个KrF厚膜、ArF干法光刻胶产品配方、工艺数据和技术参数，得到了多次可重复的实验室曝光结果，关键曝光参数已经达到了光刻生产工艺对商用光刻胶可以进行中试产品验证的基本要求。上海新阳在4月22日回复深交所的
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